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2N5546JTX02

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET N-CH 6PIN TO-71 - Bulk
2N5546JTX02 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5546JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5545JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:1 2N5545JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5545JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:1 2N5486RLRPG 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5550G 2N5550RLRA 2N5550RLRAG 2N5550RLRP 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA
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