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2N5551ZL1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • 2N5551ZL1G
    2N5551ZL1G

    2N5551ZL1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON

  • 06+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N5551ZL1G
    2N5551ZL1G

    2N5551ZL1G

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 69200

  • ON

  • TO-92

  • 18+

  • -
  • 全新原裝,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 2N5551ZL1G
    2N5551ZL1G

    2N5551ZL1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-030...

  • 2N5551ZL1G
    2N5551ZL1G

    2N5551ZL1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • ROHS

  • 201311+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-03...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共21條 
  • 1
2N5551ZL1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5551ZL1G 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5551ZL1 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5551TFR 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5551TF 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5551TAR 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5551TA 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5639 2N5639_D26Z 2N5639_D75Z 2N5639G 2N5639RLRAG 2N5655 2N5655G 2N5657 2N5657G 2N5660 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679
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