1N663A

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制造商
NJSEMI
制造商全稱
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES

1N663A 技術(shù)參數(shù)

1N6639US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6638US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6638 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6637US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673