1N6014B R0

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制造商
SKMI/Taiwan
功能描述
DO-35;ZENER 500MW 39V

1N6014B R0 技術(shù)參數(shù)

1N6014B 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6014A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6013UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6013UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6013D 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6015B_T50R 1N6015C 1N6015D 1N6015UR 1N6015UR-1 1N6016A 1N6016B 1N6016B_T50A 1N6016B_T50R 1N6016C 1N6016D 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A 1N6017B 1N6017B_T50A 1N6017B_T50R 1N6017C