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1N6016UR

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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
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  • 零件狀態(tài)
  • 在售
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1N6016UR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6016D 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6016C 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6016B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6016B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6016B 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6018A 1N6018B 1N6018B_T50A 1N6018B_T50R 1N6018C 1N6018D 1N6018UR 1N6018UR-1 1N6019A 1N6019B 1N6019C 1N6019D 1N6019UR 1N6019UR-1 1N6020A 1N6020B 1N6020B BK 1N6020B TR
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