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IX21844-EVAL

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  • IX21844-EVAL
    IX21844-EVAL

    IX21844-EVAL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IXYS Integrated Circuits

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • IX21844-EVAL
    IX21844-EVAL

    IX21844-EVAL

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
IX21844-EVAL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
IX21844-EVAL 技術(shù)參數(shù)
  • IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 IX2127N 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IX2127G 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IX2120BTR 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:6V,9.5V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):1200V 上升/下降時間(典型值):9.4ns,9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 IX2120B 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:6V,9.5V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):1200V 上升/下降時間(典型值):9.4ns,9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:28 IX2B11S7 IX2B11S7T/R IX2C11P1 IX2C11S1 IX2C11S1T/R IX2D11P7 IX2D11S7 IX2D11S7T/R IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS
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