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IX3120GESTR

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  • IX3120GESTR
    IX3120GESTR

    IX3120GESTR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IXYS Integrated Circuits

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
IX3120GESTR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
IX3120GESTR 技術(shù)參數(shù)
  • IX3120G 功能描述:2.5A Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 技術(shù):光學(xué)耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:3750Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):25kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):500ns,500ns 脈寬失真(最大):300ns 上升/下降時(shí)間(典型值):100ns,100ns 電流 - 輸出高,低:2A,2A 電流 - 峰值輸出:2.5A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.24V 電流 - DC 正向(If):20mA 電壓 - 電源:15 V ~ 30 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-DIP 認(rèn)可:UR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IX2R11S3T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX2R11S3 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2R11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2R11M6T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX4423NTR IX4424MTR IX4424N IX4424NG IX4424NTR IX4425MTR IX4425N IX4425NTR IX4426MTR IX4426N IX4426NTR IX4427MTR IX4427N IX4427NTR IX4428MTR IX4428N IX4428NTR IX4R11M6
配單專家
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