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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS-NSERIES |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | HZS-NSERIES |
HZS-N Series
Rev.0, Aug. 1993, page 3 of 9
Electrical Characteristics (cont)
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
1.0
I
Z
(mA)
5
HZS4.7N
B1
4.47
4.65
5
100
B2
4.59
4.77
B3
4.71
4.91
HZS5.1N
B1
4.85
5.03
5
5
1.5
70
5
B2
4.97
5.18
B3
5.12
5.35
HZS5.6N
B1
5.29
5.52
5
5
2.5
40
5
B2
5.46
5.70
B3
5.64
5.88
HZS6.2N
B1
5.81
6.06
5
5
3.0
30
5
B2
5.99
6.24
B3
6.16
6.40
HZS6.8N
B1
6.32
6.59
5
2
3.5
25
5
B2
6.52
6.79
B3
6.70
6.97
HZS7.5N
B1
6.88
7.19
5
0.5
4.0
25
5
B2
7.11
7.41
B3
7.33
7.64
HZS8.2N
B1
7.56
7.90
5
0.5
5.0
20
5
B2
7.82
8.15
B3
8.07
8.41
HZS9.1N
B1
8.33
8.70
5
0.5
6.0
20
5
B2
8.61
8.99
B3
8.89
9.29
HZS10N
B1
9.19
9.59
5
0.2
7.0
20
5
B2
9.48
9.90
B3
9.82
10.30
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS-N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS16L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS12L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS18L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS24L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZSSERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HZT33 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Monolithic IC Zener Diode for Temperature Compensation |
| HZU10 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10B1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
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