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參數(shù)資料
| 型號： | HZS-LSERIES |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | HZS-LSERIES |
HZS-LL Series
Rev.1, Dec. 1996, page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
250
mW
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +175
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
V
Z
(V)
*
Min
1
I
R
(nA)
Max
Z
ZT
(
)
Max
Z
ZK
(k
)
*
Typ
2
V
Z1
(V)
*
3
V
Z2
(V)
*
Max
3
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
0.5
V
R
(V)
0.5
I
ZT
(mA)
0.5
I
ZK
(
μ
A) Max
50
HZS2LL A
1.6
2.0
100
350
(1.2)
0.5
0.6
B
1.9
2.3
C
2.2
2.6
HZS3LL A
2.5
2.9
0.5
100
1.0
360
0.5
(1.2)
50
0.5
0.6
B
2.8
3.2
C
3.1
3.5
HZS4LL A
3.4
3.8
0.5
100
2.0
370
0.5
(1.5)
50
0.5
0.6
B
3.7
4.1
C
4.0
4.4
HZS5LL A
4.3
4.7
0.5
100
3.0
380
0.5
(1.5)
50
0.5
0.6
B
4.6
5.0
C
4.9
5.3
Note:
Note:
Note:
Note:
1. Tested with DC.
2. Reference only.
3.
V
Z1
= V
Z
(I
Z
= 0.5 mA) – V
Z1
(I
z
= 0.05 mA)
V
Z2
= V
Z1
(IZ = 0.05 mA) – V
Z2
(I
z
= 0.001 mA)
4. Type No. is as follows; HZS2ALL, HZS2BLL, HZS5CLL.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS-L | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS-NSERIES | |
| HZS-N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS16L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS12L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS-N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS-NSERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HZSSERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HZT33 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Monolithic IC Zener Diode for Temperature Compensation |
| HZU10 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
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