- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370823 > HZM6.8ZWA (Hitachi,Ltd.) Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZM6.8ZWA |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管浪涌吸收（用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | HZM6.8ZWA |
HZM6.8ZWA
2
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
*1
Item
Zener voltage
Symbol
V
Z
I
R
C
Min
6.47
20
Typ
Max
7.00
Unit
V
μ
A
pF
kV
Test Condition
I
Z
= 5 mA, 40ms pulse
V
R
= 3.5V
V
R
= 0V, f = 1 MHz
I
Z
= 5 mA
C =150pF, R = 330
, Both forward and
reverse direction 10 pulse
Reverse current
2
Capacitance
25
Dynamic resistance
r
d
30
ESD-Capability
*2
Notes
1. Per one device.
2. Failure criterion ; IR
>
2
μ
A at VR = 3.5V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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