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參數(shù)資料
| 型號： | HZM6.8N |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | HZM6.8N |
HZM-N Series
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C) (cont)
Zener Voltage*
Reverse Current
Dynamic Resistance
Test
Condition
V
Z
(V)
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
17.0
I
Z
(mA)
5
HZM22N
B
20.88
23.17
2
55
B1
20.88
21.77
B2
21.54
22.47
B3
22.23
23.17
HZM24N
B
22.93
25.57
5
2
19.0
60
5
B1
22.93
23.96
B2
23.72
24.78
B3
24.54
25.57
HZM27N
B
25.10
28.90
2
2
21.0
70
2
HZM30N
B
28.00
32.00
2
2
23.0
80
2
HZM33N
B
31.00
35.00
2
2
25.0
80
2
HZM36N
Note:
B
34.00
38.00
2
2
27.0
90
2
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM33NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM33NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM33NB3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM36NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM13N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM68ZMFA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM68ZWA | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5FA | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
| HZM7.5N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM7.5NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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