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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZM36NB1 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | HZM36NB1 |
HZM-N Series
MARK CODE
Type
Grade
MARK No.
Type
Grade
MARK No.
Type
Grade
MARK No.
HZM2.0N
B
2 0 –
HZM7.5N
B1
7 5 1
HZM20N
B1
2 0 1
HZM2.2N
B
2 2 –
B2
7 5 2
B2
2 0 2
HZM2.4N
B
2 4 –
B3
7 5 3
B3
2 0 3
HZM2.7N
B1
2 7 1
HZM8.2N
B1
8 2 1
HZM22N
B1
2 2 1
B2
2 7 2
B2
8 2 2
B2
2 2 2
HZM3.0N
B1
3 0 1
B3
8 2 3
B3
2 2 3
B2
3 0 2
HZM9.1N
B1
9 1 1
HZM24N
B1
2 4 1
HZM3.3N
B1
3 3 1
B2
9 1 2
B2
2 4 2
B2
3 3 2
B3
9 1 3
B3
2 4 3
HZM3.6N
B1
3 6 1
HZM10N
B1
1 0 1
HZM27N
B
2 7 –
B2
3 6 2
B2
1 0 2
HZM30N
B
3 0 –
HZM3.9N
B1
3 9 1
B3
1 0 3
HZM33N
B
3 3 –
B2
3 9 2
HZM11N
B1
1 1 1
HZM36N
B
3 6 –
HZM4.3N
B1
4 3 1
B2
1 1 2
B2
4 3 2
B3
1 1 3
B3
4 3 3
HZM12N
B1
1 2 1
HZM4.7N
B1
4 7 1
B2
1 2 2
B2
4 7 2
B3
1 2 3
B3
4 7 3
HZM13N
B1
1 3 1
HZM5.1N
B1
5 1 1
B2
1 3 2
B2
5 1 2
B3
1 3 3
B3
5 1 3
HZM15N
B1
1 5 1
HZM5.6N
B1
5 6 1
B2
1 5 2
B2
5 6 2
B3
1 5 3
B3
5 6 3
HZM16N
B1
1 6 1
HZM6.2N
B1
6 2 1
B2
1 6 2
B2
6 2 2
B3
1 6 3
B3
6 2 3
HZM18N
B1
1 8 1
HZM6.8N
B1
6 8 1
B2
1 8 2
B2
6 8 2
B3
1 8 3
B3
6 8 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM13N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZM27N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZM24N | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZM27FA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZM27WA | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM36NB2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM36NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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