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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZM3.9NB2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | HZM3.9NB2 |
HZM-N Series
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Zener Voltage*
Reverse Current
Dynamic Resistance
Test
Condition
V
Z
(V)
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
0.5
I
Z
(mA)
5
HZM2.0N
B
1.90
2.20
120
100
HZM2.2N
B
2.10
2.40
5
120
0.7
100
5
HZM2.4N
B
2.30
2.60
5
120
1.0
100
5
HZM2.7N
B
2.50
2.90
5
120
1.0
110
5
B1
2.50
2.75
B2
2.65
2.90
HZM3.0N
B
2.80
3.20
5
50
1.0
120
5
B1
2.80
3.05
B2
2.95
3.20
HZM3.3N
B
3.10
3.50
5
20
1.0
130
5
B1
3.10
3.35
B2
3.25
3.50
HZM3.6N
B
3.40
3.80
5
10
1.0
130
5
B1
3.40
3.65
B2
3.55
3.80
HZM3.9N
B
3.70
4.10
5
10
1.0
130
5
B1
3.70
3.97
B2
3.87
4.10
HZM4.3N
B
4.01
4.48
5
10
1.0
130
5
B1
4.01
4.21
B2
4.15
4.34
B3
4.28
4.48
HZM4.7N
B
4.42
4.90
5
10
1.0
130
5
B1
4.42
4.61
B2
4.55
4.75
B3
4.69
4.90
HZM5.1N
B
4.84
5.37
5
5
1.5
130
5
B1
4.84
5.04
B2
4.98
5.20
B3
5.14
5.37
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM6.8N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM33NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM33NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM33NB3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM36NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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| HZM4.3NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
| HZM4.3NB1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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