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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZM3.0NB1 |
| 廠(chǎng)商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | HZM3.0NB1 |
HZM-N Series
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C) (cont)
Zener Voltage *
Reverse Current
Dynamic Resistance
Test
Condition
V
Z
(V)
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
8.0
I
Z
(mA)
5
HZM11N
B
10.44
11.56
2
30
B1
10.44
10.88
B2
10.76
11.22
B3
11.10
11.56
HZM12N
B
11.42
12.60
5
2
9.0
35
5
B1
11.42
11.90
B2
11.74
12.24
B3
12.08
12.60
HZM13N
B
12.47
13.96
5
2
10.0
35
5
B1
12.47
13.03
B2
12.91
13.49
B3
13.37
13.96
HZM15N
B
13.84
15.52
5
2
11.0
40
5
B1
13.84
14.46
B2
14.34
14.98
B3
14.85
15.52
HZM16N
B
15.37
17.09
5
2
12.0
40
5
B1
15.37
16.01
B2
15.85
16.51
B3
16.35
17.09
HZM18N
B
16.94
19.03
5
2
13.0
45
5
B1
16.94
17.70
B2
17.56
18.35
B3
18.21
19.03
HZM20N
B
18.86
21.08
5
2
15.0
50
5
B1
18.86
19.70
B2
19.52
20.39
B3
20.21
21.08
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZM3.3NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM4.3NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM3.6NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM16NB1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZM2.0NB | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZM30NB2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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| HZM33NB | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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