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參數(shù)資料
| 型號： | HZK4B |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | LLD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | HZK4B |
HZK Series
5
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
Zener
Current
I
Z
(mA)
Zener Voltage V
Z (V)
HZK4
HZK5
HZK6
HZK3
24
28
32
40
36
HZK7
HZK16
HZK12
HZK15
HZK18
HZK11
HZK9
HZK2
HZK20
HZK27
HZK22
HZK24
HZK33
HZK36
HZK30
Fig.1 Zener current Vs. Zener voltage
05
10
15 20 25 30 35 40
Zener Voltage V (V)
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(%/
°C)
zγ
50
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
–0.10
Z
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(mV/
°C)
zγ
%/
°C
mV/
°C
Fig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS9C2 | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZK4BLL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise |
| HZK4BTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HZK4BTR-E - Tape and Reel |
| HZK4BTR-S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.9V 5% 500mW 2-Pin LLD T/R |
| HZK4C | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply |
| HZK4CLL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise |
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