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參數(shù)資料
| 型號： | HYS72D64300HU-5-B |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules |
| 中文描述： | 184引腳緩沖雙列內存模組 |
| 文件頁數(shù)： | 19/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 1374K |
| 代理商： | HYS72D64300HU-5-B |
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HYS[64/72]D[64300/128320][G/H]U–[5/6]–B
Unbuffered DDR SDRAM Modules
Electrical Characteristics
Data Sheet
19
Rev. 1.0, 2004-05
10042003-RYU3-RQON
DQ and DM input pulse width (each
input)
Data-out high-impedance time from
CK/CK
Data-out low-impedance time from CK/
CK
Write command to 1
st
DQS latching
transition
DQS-DQ skew (DQS and associated
DQ signals)
Data hold skew factor
t
DIPW
1.75
—
1.75
—
ns
2)3)4)5)6)
t
HZ
–0.7
+0.7
–0.7
+0.7
ns
2)3)4)5)7)
t
LZ
–0.7
+0.7
–0.7
+0.7
ns
2)3)4)5)7)
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
2)3)4)5)
t
DQSQ
—
+0.40
—
+0.45
ns
TSOPII
2)3)4)5)
t
QHS
—
+0.50
—
+0.55
ns
TSOPII
2)3)4)5)
DQ/DQS output hold time
DQS input low (high) pulse width (write
cycle)
DQS falling edge to CK setup time
(write cycle)
DQS falling edge hold time from CK
(write cycle)
Mode register set command cycle time
t
MRD
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
Address and control input setup time
t
QH
t
DQSL,H
t
HP
–
t
QHS
0.35
t
HP
–
t
QHS
0.35
ns
t
CK
2)3)4)5)
—
—
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
2
0
0.40
0.25
0.6
—
—
0.60
—
—
2
0
0.40
0.25
0.75
—
—
0.60
—
—
t
CK
ns
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
fast slew rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold time
t
IH
0.6
—
0.75
—
ns
fast slew rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Read preamble
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-refresh command
period
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
Active to Autoprecharge delay
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
0.9
0.40
40
55
1.1
0.60
70E+3
—
0.9
0.40
42
60
1.1
0.60
70E+3
—
t
CK
t
CK
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
RFC
70
—
72
—
ns
2)3)4)5)
t
RCD
t
RP
t
RAP
15
15
t
RCD
– t
RASmin
—
—
18
18
—
—
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
Table 13
Parameter
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200 and PC2700
Symbol
–5
DDR400B
Min.
–6
DDR333
Min.
Unit
Note/ Test
Condition
1)
Max.
Max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS64D64300GU-5-B | 184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules |
| HYS72D64300GU-5-B | CAP 22PF 100V 10% NP0(C0G) SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN |
| HYS64D128320GU-5-B | 184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules |
| HYS72D128320GU-5-B | Category 6 Termination Kit; For Use With:GigaBIX? Cross-Connect or Interconnect Systems; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| HYS72D128320HU-6-B | Connector Wall Plate; Color:Almond; Leaded Process Compatible:Yes; Series:PS6+; No. of Ports:2 RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYS72D64300HU-6-B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules |
| HYS72D64300HU-6-C | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:184-Pin Unbuffered Double Data Rate SDRAM |
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| HYS72D64301GBR-5-B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:184 - Pin Registered Double-Data-Rate SDRAM Module |
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