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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM76V4M655HGLT6 |
| 英文描述： | 8Mx64|3.3V|8/P/S|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 64MB |
| 中文描述： | 8Mx64 | 3.3 | 8/P/S | x4 | SDRAM的特別提款權(quán)-蘇64MB的內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | HYM76V4M655HGLT6 |
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PC133 SDRAM Unbuffered DIMM
Rev. 0. 3/ Apr. 01
11
HYM76V16635HGT8 Ser ies
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Paramet er
Symbol
-K
-H
Uni t
Note
M n
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
65
-
65
-
ns
Auto Refresh
tRRC
65
-
65
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
20
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
45
100K
45
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
20
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
15
-
15
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
5
-
5
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM76V4M655HGLT6-8 | x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGLT6-P | x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGLT6-S | x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGT6 | 8Mx64|3.3V|8/P/S|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 64MB |
| HYM76V4M655HGT6-8 | x64 SDRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM76V4M655HGLT6-8 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGLT6-P | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGLT6-S | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM76V4M655HGT6 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:8Mx64|3.3V|8/P/S|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 64MB |
| HYM76V4M655HGT6-8 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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