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參數(shù)資料
| 型號： | HYM72V16M636BT6-K |
| 英文描述： | SDRAM|16MX64|CMOS|DIMM|144PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 16MX64 |的CMOS |內(nèi)存| 144Pin支持|塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | HYM72V16M636BT6-K |
PC133 SDRAM Registered DIMM
Rev. 0.4/Dec. 2002
13
HYM72V12C736B(L)S4 Series
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. Timing delay due to the register is considered in a registered DIMM
2. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-K
-H
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
60
-
65
-
ns
Auto Refresh
tRRC
60
-
65
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
15
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
45
100K
45
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
15
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
15
-
15
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
5
-
5
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V16M656LT6-8 | x64 SDRAM Module |
| HYM72V16M656LT6-P | x64 SDRAM Module |
| HYM72V16M656LT6-S | x64 SDRAM Module |
| HYM72V16M656T6 | 16Mx64|3.3V|P/S|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 128MB |
| HYM72V16M656T6-8 | x64 SDRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM72V16M636HLT6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|K/H|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 128MB |
| HYM72V16M636HLT6-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM72V16M636HLT6-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM72V16M636HT6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx64|3.3V|K/H|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 128MB |
| HYM72V16M636HT6-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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