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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM324000GD- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | CAP 0.5PF 50V +/-0.1PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| 中文描述： | 4米× 32位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器模塊小外形內(nèi)存模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HYM324000GD- |
Semiconductor Group
185
HYM324000GD-50/-60
4M x 32 SO-DIMM
Average
V
cc supply current,
during fast page mode:
-60 ns version
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling: tPC=tPC min.)
Standby Vcc supply current
(RAS=CAS=
V
cc-0.2V)
Average Vcc supply current, during CAS-before-
RAS refresh mode:
-60 ns version
(RAS, CAS cycling: tRC = tRC min.)
Self Refresh Current
Average Power Supply Current during Self Refresh.
(CBR cycle with tRAS>TRASSmin, CAS held low,
WE = Vcc-0.2V, Address and Din=Vcc-0.2V or 0.2V)
-50 ns version
I
CC4
–
–
170
150
mA
mA
3) 4) 5)
I
CC5
–
400
A
–
-50 ns version
I
CC6
–
–
280
240
mA
mA
3) 4)
I
CC7
–
400
A
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70 C,
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3 V
±
0.3 V
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM324000GD-50 | CAP 0.5PF 50V +/-0.2PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| HYM324000GD-60 | 4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324025S-60 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM324025S-50 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM324000GD-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324000GD-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE |
| HYM324020GD-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM324020GD-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM324020GDL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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