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參數(shù)資料
| 型號： | HYM322035GS-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 2M X 32 EDO DRAM MODULE, 50 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | HYM322035GS-50 |
Semiconductor Group
6
HYM 322035S/GS-50/-60/-70
2M
×
32-Bit EDO-Module
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during hyper page mode - EDO
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
PC
=
t
PC
min)
-50 version
-60 version
-70 version
I
CC4
–
–
–
280
220
180
mA
mA
mA
2), 3), 4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
4
mA
-50 version
-60 version
-70 version
I
CC6
–
–
–
480
440
400
mA
mA
mA
2), 4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A11)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO
–
40
pF
Input capacitance (RAS0, RAS2)
–
45
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
45
pF
Input capacitance (WE)
–
45
pF
I/O capacitance
(DQ0-DQ31)
–
25
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM322035GS-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322160GS-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322160S-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322160S-70 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322160GS-70 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM322035GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322035GS-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322035S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322035S-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322035S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
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