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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM322005S-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 2M X 32 EDO DRAM MODULE, 50 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIMM-72 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | HYM322005S-50 |
Semiconductor Group
6
HYM 322005S/GS-50/-60
2M
×
32-Bit EDO-Module
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current, during CAS-
before-RAS refresh mode: -50 ns version
I
CC5
–
4
mA
1)
-60 ns version
(RAS, CAS cycling:
t
RC
=
t
RC
min.)
I
CC6
–
–
400
360
mA
mA
2) 4)
2) 4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO1
–
35
pF
Input capacitance (RAS0, RAS2)
–
20
pF
Input capacitance (CAS0-CAS3)
–
20
pF
Input capacitance (WE)
–
35
pF
I/O capacitance (DQ0-DQ31)
–
25
pF
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM322005GS-50 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322005GS-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322030GS-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322030S-GS50 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM322030S-60 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM322005S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM32200L-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32200L-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32200L-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32200S-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
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