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參數(shù)資料
| 型號： | HYC3N2560NO50AA1AA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CAP 560PF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 2148K |
| 代理商： | HYC3N2560NO50AA1AA |
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D R A M C o m p o n e n t s
Speed/Performance
3
3.7
5
6
7
7F
7.5
8
=
=
=
=
=
=
=
=
DDR2-667 4-4-4
DDR2-533 4-4-4
DDR2-400 3-3-3/DDR400B 3-3-3
DDR333 2.5-3-3/PC166 3-3-3
DDR266A 2-3-3/PC133 2-2-2
DDR266 2-2-2
DDR266B 2.5-3-3/PC133 3-3-3
DDR200 2-2-2/PC100 2-2-2
(DDR2)
(DDR2)
(DDR2/DDR)
(DDR/SDR)
(DDR/SDR)
(DDR)
(DDR/SDR)
(DDR/SDR)
Power
none =
L
Standard Power
Low-Power Product
=
Package
C
T
E
F
G
=
=
=
=
=
FBGA
TSOP 400 mil
TSOP 400 mil
FBGA
TSOP stack
Contains Lead
Contains Lead
Lead and Halogen-Free (ROHS*-compliant)
Lead and Halogen-Free (ROHS*-compliant)
Lead and Halogen-Free (ROHS*-compliant)
Product Revision
Die Revision
Product Variation
0
=
Standard Product
Organization
40
80
16
=
=
=
x 4
x 8
x 16
Memory Density
128
256
512
1G
=
=
=
=
128 Mb
256 Mb
512 Mb
1024 Mb
Memory Type
S
D
T
=
=
=
SDR Single Data Rate SDRAM
DDR Double Data Rate SDRAM
DDR2
Double Data Rate 2 SDRAM
Supply Voltage
39
25
18
=
=
=
3.3V
2.5V
1.8V
Prefix
HYB =
Memory Components
*ROHS = Restriction Of Hazardous Substances
HYB 25 D 128
80 0 C T
- 6 (Example)
4
D
S
F
4
Nomenclature DRAM Components
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYC5000 | 功能描述:總線收發(fā)器 Non PCI 10/100 Ethernet MAC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:74VCX 每芯片的通道數(shù)量:16 輸入電平:CMOS 輸出電平:CMOS 輸出類型:3-State 高電平輸出電流:- 24 mA 低電平輸出電流:24 mA 傳播延遲時間:6.2 ns 電源電壓-最大:2.7 V, 3.6 V 電源電壓-最小:1.65 V, 2.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-48 封裝:Reel |
| HYC9058 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Telecommunication IC |
| HYC9058-S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HYC9068 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ARCNET Local area network driver land |
| HYC9068R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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