參數資料
型號： HYB514400BJL-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
文件頁數： 3/24頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： HYB514400BJL-60
HYB 514400BJ-50/-60
1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Pin Configuration
Pin Names
A0 - A9
Address Input
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Read/Write Input
OE
Output Enable
I/O1 - I/O4
V
CC
V
SS
N.C.
Data Input/Output
Power Supply (+ 5 V)
Ground (0 V)
No Connection
P-SOJ-26/20-2
1
2
3
4
5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
22
23
A8
A7
A6
A0
A1
A2
WE
RAS
A9
SPP02797
I/O4
I/O3
CAS
OE
SS
V
I/O1
I/O2
A3
A5
A4
26
25
24
CC
V
相關PDF資料
PDF描述
HYB514400BJL-70 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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HYB18L128160BC-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L128160BF-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L256160BF-75 DRAMs for Mobile Applications
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