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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514400BJ-BT60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | RES 121-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/24頁(yè) |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | HYB514400BJ-BT60 |
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HYB 514400BJ-50/-60
1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
6
1998-10-01
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
Output capacitance (IO1 to IO4)
–
7
pF
AC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
5, 6
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min. max. min. max.
Common Parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
95
–
110
–
ns
RAS precharge time
35
–
40
–
ns
RAS pulse width
50
10k
60
10k
ns
CAS pulse width
13
10k
15
10k
ns
Row address setup time
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
10
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
ns
Column address hold time
10
–
15
–
ns
RAS to CAS delay time
18
37
20
45
RAS to column address delay time
13
25
15
30
ns
RAS hold time
13
–
15
–
ns
CAS hold time
50
–
60
–
ns
CAS to RAS precharge time
5
–
5
–
ns
Transition time (rise and fall)
3
50
3
50
ns
7
Refresh period
–
16
–
16
ms
Read Cycle
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
–
50
–
60
ns
8, 9
Access time from CAS
–
13
–
15
ns
8, 9
Access time from column address
–
25
–
30
ns
8, 10
OE access time
–
13
–
15
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514400BJL-80 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BTL-60 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BTL-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BTL-80 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BJL-50 | 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514400BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| HYB514400BJL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| HYB514400BJL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| HYB514400BJL-80 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514400BT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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