參數(shù)資料
型號: HYB514175BJ-50-
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述: 256k x 16位江戶的DRAM
文件頁數(shù): 11/22頁
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代理商: HYB514175BJ-50-
HYB 514175BJ-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Write Cycle (Early Write)
SPT03044
"H" or "L"
RWL
RAL
WCS
OH
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
IL
V
OL
V
V
V
IH
OE
WE
IH
V
IL
V
V
IL
V
IH
t
DS
t
Valid
DH
Data IN
WCH
t
t
WP
t
LCAS
V
Address
IH
V
V
IL
IL
UCAS
RAS
V
IH
IH
V
V
IL
t
RAD
ASR
t
t
RAH
Row
t
Column
ASC
t
CWL
t
CAH
t
t
RCD
t
CSH
t
t
RAS
t
Z
Hi
t
RC
CAS
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514175BJ-55 256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB514175BJ-60 256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB514175BJ-50 256k x 16-Bit EDO-DRAM
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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