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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S256160DCL-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256兆位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | HYB39S256160DCL-8 |
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INFINEON Technologies
18
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
256MBit Synchronous DRAM
AC Characteristics 1)2)
TA =0 to 70
oC; V
SS =0 V; VDD,VDDQ =3.3 V ± 0.3V, tT = 1ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-6
PC166-
333
-7
PC133-
222
-7.5
PC133-
333
-8
PC100-
222
min.
max.
min.
max.
min.
max.
min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
6
7.5
–
7
7.5
–
7.5
10
–
8
10
–
ns
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
–
166
133
–
143
133
–
133
100
–
125
100
MHz
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
5
5.4
–
5.4
–
5.4
6
–
6
ns
2,
3,
6
Clock High Pulse Width
t
CH
2
–
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
Clock Low Pulse Width
t
CL
2
–
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
Transition time
t
T
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
0.5
10
ns
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
1.5
–
1.5
–
1.5
–
2
–
ns
4
Input Hold Time
t
IH
0.8
–
0.8
–
0.8
–
1
–
ns
4
CKE Setup Time
t
CKS
1.5
–
1.5
–
1.5
–
2
–
ns
4
CKE Hold Time
t
CKH
0.8
–
0.8
–
0.8
–
1
–
ns
4
Mode Register Set-up to Active
delay
t
RSC
2–
CLK
Power Down Mode Entry Time
t
SB
06
07
0
7.5
08
ns
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
15–15–20–20–
ns
5
Row Precharge Time
t
RP
15–15–20–20–
ns
5
Row Active Time
t
RAS
36
100k
37
100k
45
100k
48
100k
ns
5
Row Cycle Time
t
RC
60–60–67–70
–
ns
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB39S512160TCL-75 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB39D512160TCL-75 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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