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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39D256800TF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | NPN Silicon Transistor; Package: TO-220; No of Pins: 3; Container: Rail |
| 中文描述： | 記憶譜 |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 2148K |
| 代理商： | HYB39D256800TF-37 |
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D
S
F
D
21
Nomenclature Reduced Latency DRAM (RLDRAM
)
S p e c i a l t y D R A M s
Speed
4
5
=
=
250 MHz
200 MHz
Package
C
=
FBGA
Product Revision
Die Revision
Organization
32
16
=
=
x 32
x 16
Memory Density
256 =
256 Mb
Memory Type
RL
=
Reduced Latency DRAM (RLDRAM)
I/O Voltage
18
=
1.8 V (VDDQ)
Prefix
HYB =
Standard Prefix for Memory Components
HYB
18
RL
256
32
A
C
- 4
(Example)
Reduced Latency DRAM (RLDRAM
)
Density
Organization
Power Supply
Speed
Package
Prod.
Green
256 Mb
250 MHz
4
Q67100
Q4355
8 M x 32
200 MHz
HYB18RL25632AC-
5
Q67100
Q4357
2.5 V / 1.8 V VDDQ
250 MHz
4
Q67100
Q4356
T-FBGA-144
Now
16 M x 16
200 MHz
HYB18RL25616AC-
5
Q67100
Q4358
Sales Description
Speed No.
Ordering Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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