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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3165405ATL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | HYB3165405ATL-60 |
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Semiconductor Group
97
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
AC Characteristics
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
common parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
t
REF
84
–
104
–
ns
RAS precharge time
30
–
40
–
ns
RAS pulse width
50
100k
60
100k
ns
CAS pulse width
8
10k
10
10k
ns
Row address setup time
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
10
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
ns
Column address hold time
8
–
10
–
ns
RAS to CAS delay time
12
37
14
45
ns
RAS to column address delay time
10
25
12
30
ns
RAS hold time
8
10
–
ns
CAS hold time
45
50
–
ns
CAS to RAS precharge time
5
–
5
–
ns
Transition time (rise and fall)
1
50
1
50
ns
7
Refresh period for HYB3164405
–
128
–
128
ms
Refresh period for HYB3165405
–
64
–
64
ms
Read Cycle
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
–
50
–
60
ns
8, 9
Access time from CAS
–
13
–
15
ns
8, 9
Access time from column address
–
25
–
30
ns
8,10
OE access time
–
13
–
15
ns
Column address to RAS lead time
25
–
30
–
ns
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time
0
–
0
–
ns
11
Read command hold time referenced to
RAS
0
–
0
–
ns
11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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