參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3164405BJ-40
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 16M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 16M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù)： 15/32頁(yè)
文件大?。?/td> 473K
代理商： HYB3164405BJ-40
Semiconductor Group
103
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Row
Row
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
WL2
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PDF描述
HYB3165405BJ-40 16M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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