參數(shù)資料
型號(hào): HYB3164165TL-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 4M x 16-Bit Dynamic RAM
中文描述: 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO54
文件頁(yè)數(shù): 15/30頁(yè)
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代理商: HYB3164165TL-50
Semiconductor Group
45
HYB3164(5)165T(L)-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
ODD
t
CWL
t
DZO
t
OEA
t
CLZ
t
DS
t
OEZ
t
DH
t
RC
VIH
VIL
Row
t
DZC
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAH
t
RAH
RAS
UCAS
LCAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
.
t
RAS
t
CSH
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
ASR
t
ASR
WL3
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PDF描述
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