- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370786 > HYB314405BJ-60 (SIEMENS A G) Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB314405BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| 中文描述： | 1M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁數(shù)： | 3/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 1363K |
| 代理商： | HYB314405BJ-60 |
Semiconductor Group
3
HYB 314405BJ/BJL-50/-60/-70
3.3V 1M x 4 EDO - DRAM
Pin Configuration
(top view)
Pin Names
A0-A9
Address Input
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Read/Write Input
OE
Output Enable
I
/
O1 - I
/
O4
V
CC
V
SS
N.C.
Data Input/Output
Power Supply (+ 3.3 V)
Ground (0 V)
No Connection
P-SOJ-26/20-5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-60 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-70 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJBJL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。