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參數資料
| 型號： | HYB3116405BTL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-24 |
| 文件頁數： | 14/26頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BTL-60 |
Semiconductor Group
14
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
ODD
t
CWL
t
DZO
t
OEA
t
CLZ
t
DS
t
OEZ
t
DH
t
RC
VIH
VIL
Row
t
DZC
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAH
t
RAH
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
.
t
RAS
t
CSH
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
ASR
t
ASR
WL3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-70 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40 to 85 |
| HYB3117405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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