- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370786 > HYB3116405BTL-50 (SIEMENS A G) 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116405BTL-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-24 |
| 文件頁數(shù)： | 18/26頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BTL-50 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
Semiconductor Group
18
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
t
C
t
C
t
D
t
D
t
R
t
C
t
C
t
R
t
A
t
O
t
R
t
R
t
R
t
A
t
A
t
C
t
C
t
P
t
C
t
C
t
A
t
C
t
R
t
R
t
C
t
A
t
C
t
A
t
R
t
C
t
R
t
C
t
C
t
C
t
A
t
A
t
W
t
W
t
C
t
R
t
A
t
W
t
O
t
O
t
D
t
O
t
D
t
C
t
C
t
D
t
A
t
C
t
O
t
D
t
O
t
D
t
O
t
A
t
O
t
D
t
C
t
O
t
C
t
D
t
D
t
O
t
O
R
VI
VI
C
VI
VI
VI
VI
VI
VI
VI
VI
VI
VI
VO
VO
(
W
O
A
I
(
I
D
D
D
D
O
O
D
D
O
R
C
C
R
t
R
t
C
C
t
C
t
C
WL17
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BJ-60 | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HYB3117405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
| HYB3116405BTL-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。