參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3116405BT-70
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24
文件頁數(shù)： 2/26頁
文件大小： 285K
代理商： HYB3116405BT-70
Semiconductor Group
2
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
The HYB 3116(7)405BJ/BT(L) is a 16MBit dynamic RAM organized as 4194304 words by 4-bits.
The HYB 3116(7)405BJ/BT(L) utilizes a submicron CMOS silicon gate process technology, as well
as advanced circuit techniques to provide wide operating margins, both internally and for the system
user. Multiplexed address inputs permit the HYB 3116(7)405BJ/BT(L) to be packaged in a standard
SOJ 26/24 300 mil or TSOPII-26/24 300 mil wide plastic package. These packages provide high
system bit densities and are compatible with commonly used automatic testing and insertion
equipment. System-oriented features include single + 3.3 V (± 0.3 V) power supply, direct
interfacing with high-performance logic device families.The HYB3116405BTL parts have a very low
power sleep mode“ supported by Self Refresh.
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
HYB 3117405BJ-50
Q67100-Q1119
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117405BJ-60
Q67100-Q1120
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3117405BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3117405BT-50
Q67100-Q1135
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3117405BT-60
Q67100-Q1136
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3117405BT-70
Q67100-Q1184
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BJ-50
Q67100-Q1127
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BJ-60
Q67100-Q1128
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BJ-70
P-SOJ-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BT-50
Q67100-Q1143
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BT-60
Q67100-Q1144
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BT-70
Q67100-Q1186
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
DRAM (access time 70 ns)
HYB 3116405BTL-50
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 50 ns)
HYB 3116405BTL-60
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 60 ns)
HYB 3116405BTL-70
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
LP-DRAM (access time 70 ns)
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PDF描述
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HYB3116405BJ-60 RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA
HYB3117405BJ-70 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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