參數(shù)資料
型號： HYB18T256800AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256 Mbi t DDR2 SDRAM
中文描述： 256姆噸DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 69/90頁
文件大?。?/td> 1246K
代理商： HYB18T256800AF-3S
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 69 Rev. 1.02 May 2004
5.4.2 Full Strength Default Pull-down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Nominal Default low
Voltage (V)
Minimum
Nominal Default high
Maximum
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
8.5
12.1
14.7
16.4
17.8
18.6
19.0
19.3
19.7
19.9
20.0
20.1
20.2
20.3
20.4
20.6
11.3
16.5
21.2
25.0
28.3
30.9
33.0
34.5
35.5
36.1
36.6
36.9
37.1
37.4
37.6
37.7
37.9
11.8
16.8
22.1
27.6
32.4
36.9
40.9
44.6
47.7
50.4
52.6
54.2
55.9
57.1
58.4
59.6
60.9
15.9
23.8
31.8
39.7
47.7
55.0
62.3
69.4
75.3
80.5
84.6
87.7
90.8
92.9
94.9
97.0
99.1
101.1
The driver characteristics evaluation conditions are:
Nominal Default 25
o
C (Tcase), VDDQ = 1.8 V, typical process
Minimum 95
o
C (Tcase), VDDQ = 1.7V, slow-slow process
Maximum 0
o
C (Tcase). VDDQ = 1.9 V, fast-fast process
0
20
40
60
80
100
120
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VOUT to VSSQ (V)
P
Minimum
Nominal Default Low
Nominal Default High
Maximum
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256800AF-5 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256324F-16 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-20 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-22 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256400AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
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