參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18S512160TT-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
中文描述： 記憶譜
文件頁(yè)數(shù)： 5/28頁(yè)
文件大小： 2148K
代理商： HYB18S512160TT-3
D
S
F
D
5
DDR Components
Generation
Organization
Package
Speed
Latency
Sales Description Speed No.
Ordering Code
Prod.
Green
128Mb
DDR266A
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HYB25D128400AT-
7
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TSOP-66 (400mil)
DDR333
2.5-3-3
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6
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Q1459
2Q04
XX
DDR266A
2-3-3
7
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Q5045
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Q67100
Q5182
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XX
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6
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Q4614
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5
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Q4596
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Q4443
2Q04
XX
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Q67100
Q4767
DDR400
3-3-3
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Q1419
2Q04
DDR266A
2-3-3
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Q67100
Q4599
Now
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FBGA 60 (8x12mm)
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Q4598
DDR333
2.5-3-3
HYB25D256160CC-
6
Q67100
Q4770
2Q04
XX = Lead and Halogen-Free
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25S512160TT-3 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
HYB18D512160TT-3 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
HYB18T512160TT-3 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
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HYB18D128160TCL-5 MEMORY SPECTRUM
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參數(shù)描述
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HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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