參數(shù)資料
型號: HYB 3117400BJ-50
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
中文描述: 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(4米× 4位動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
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代理商: HYB 3117400BJ-50
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
14
1998-10-01
Write Cycle (OE Controlled Write)
SPT03027
"H" or "L"
DS
RAL
CAS
V
OH
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
V
OL
IL
V
IH
OE
WE
V
IL
IL
V
IH
V
IH
t
DZO
Hi Z
t
CLZ
t
OEA
t
OEZ
t
DZC
ODD
t
t
V
Address
IL
V
V
IH
CAS
RAS
V
IL
V
IH
IL
V
IH
RAD
ASR
t
RAH
t
Row
t
t
Column
ASC
t
CAH
RCD
t
t
t
CSH
t
RAS
t
Hi
Valid Data
t
DH
OEH
t
Z
RWL
CWL
t
t
t
WP
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RC
t
RP
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PDF描述
HYB 3117400BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
HYB 5116400BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
HYB 5116400BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM)
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HYB 3116405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
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參數(shù)描述
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