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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62SF16403A |
| 英文描述： | x16|1.8V|85/100|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
| 中文描述： | x16 | 1.8 | 85/100 |超級(jí)低功耗SRAM的速度慢- 4分 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 188K |
| 代理商： | HY62SF16403A |
HY62SF16403A Series
Rev.11 / Jun.01
8
PACKAGE INFORMATION
48ball Micro Ball Grid Array Package(M)
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
B
A
A1 CORNER
INDEX AREA
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
C
C1
E
3.0 X 5.0 MIN
F
FLAT AREA
G
C1/2
H
B1/2
B1
SIDE VIEW
5
E1
E2
C
E
SEATING PLANE
4
A
r
3 D(DIAMETER)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
A
-
0.75
-
B
-
3.75
-
B1
8.3
8.4
8.5
C
-
5.25
-
C1
7.1
7.2
7.3
D
0.3
0.35
0.4
E
0.85
0.9
0.95
E1
0.6
0.65
0.7
E2
0.2
0.25
0.3
r
-
0.08
Note
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14. 5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE MILLIMETERS.
3. DIMENSION “D” IS MEASURED AT THE MAXIMUM SOL DER
BALL DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
4. PRIMARY DATUM C(SEATING PLANE) IS DEFINED BY THE
CROWN OF THE SOLDER BALLS.
5. THIS IS A CONTROLLING DIMENSION.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UF16806B | x16|3V|55/70/85|Super Low Power Slow SRAM - 8M |
| HY62UT08081E | x8|3V|70/85/100|Low Power Slow SRAM - 256K |
| HY62UT08081E-DG10C | x8 SRAM |
| HY62UT08081E-DG10E | x8 SRAM |
| HY62UT08081E-DG10I | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62SF16403A-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62SF16403ALLM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62SF16403ALLM-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY62SF16403ALLM-10I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY62SF16403ALLM-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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