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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5S6B6DLF-SE |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 368K |
| 代理商： | HY5S6B6DLF-SE |
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Rev 0.3 / July 2004
24
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note : 1. A new command can be given t
RC
after self refresh exit.
Parameter
Symbol
S
B
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
t
RC
90
-
90
-
ns
RAS to CAS Delay
t
RCD
28.5
-
30
-
ns
RAS Active Time
t
RAS
60
100K
60
100K
ns
RAS Precharge Time
t
RP
28.5
-
30
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
t
RRD
19
-
30
-
ns
CAS to CAS Delay
t
CCD
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
t
WTL
0
-
0
-
CLK
Data-in to Precharge Command
t
DPL
2
-
2
-
CLK
Data-In to Active Command
t
DAL
t
DPL
+t
RP
DQM to Data-Out Hi-Z
t
DQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
t
DQM
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
t
MRD
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data Output
High-Z
CAS Latency=3
t
PROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency=2
t
PROZ2
2
2
CLK
Power Down Exit Time
t
DPE
1
-
1
-
CLK
Auto Refresh Cycle Time
t
ARFC
90
105
ns
Self Refresh Exit Time
t
SRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
t
REF
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSF-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSFP-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSFP-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY62256A | 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S7B2ALFP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM |
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