- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370740 > HY5PS12823LF 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5PS12823LF |
| 英文描述： | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| 中文描述： | 64Mx8 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II內(nèi)存- 512M |
| 文件頁數(shù)： | 52/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 862K |
| 代理商： | HY5PS12823LF |
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Rev. 0.52/Nov. 02 52
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
Write with Auto Precharge
If A10 is high when wrtie command is issued, DRAM perform write with auto precharge. When write with auto pre-
charge command is issued, internal Precharge start automatically. If tRAS minimum is satisfied, internal precharge
start at write recovery delay later after the completion of the burst write. If tRAS minimum is not satisfied, internal
precharge starting point is delayed until tRAS minimum is satisfied. The bank undergoing auto-precharge from the
completion of the write burst may be reactivated if the following two conditions are satisfied.
1. The data-in to bank activate delay time (tWR+tRP) has been satisfied.
2. The RAS cycle time (tRC) from the previous bank activation has been satisfied.
/CK
CK
tWR = 4clks
CMD
DQS
DQ
WBank A
Write latency= 4clks
D0 D1 D2 D3
Posted CAS AL=2
Write Burst Completion
ACT
Bank A
tRP = 4clks
CL=3CLKs, AL=2CLKs, BL=4, tWR=4CLKs, tRP=4CLKs (tWR+tRP Limit)
Auto Precharge Start
tRC min.
/CK
CK
tWR = 3clks
CMD
DQS
DQ
Write w/ AP
Bank A
Write latency= 4clks
D0 D1 D2 D3
Posted CAS AL=2
Write Burst Completion
BACT
tRP = 3clks
CL=3CLKs, AL=2CLKs, BL=4, tWR=3CLKs, tRP=4CLKs (tRC limit)
Auto Precharge Start
tRC min.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5P | Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5R256HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5PS1G1631AFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631AFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631ALFP-Y5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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