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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DV281622AT-5 |
| 英文描述： | SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存|復(fù)員| 4X2MX16 |的CMOS | TSSOP封裝| 66PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 26/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | HY5DV281622AT-5 |
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Rev. 0.3/May. 02
26
HY5DV281622AT
CAPACITANCE
(T
A
=25
o
C, f=1MHz )
Note :
1. V
DD
= min. to max., V
DDQ
= 2.3V to 2.7V, V
O
DC = V
DDQ
/2, V
O
peak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Clock Capacitance
CK, /CK
C
CK
2.0
3.0
pF
Input Capacitance
All other input-only pins
C
IN
2.0
3.0
pF
Input / Output Capacitanc
DQ, DQS, DM
C
IO
4.0
5.0
pF
V
REF
V
TT
V
TT
R
T
=50
R
T
=50
R
S
=25
Zo=50
C
L
=30pF
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G55 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622TC-G6 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622TC-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G55 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G6 | DDR Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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