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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU283222F-4 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.9 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 22/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 359K |
| 代理商： | HY5DU283222F-4 |
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Rev. 1.2/Sep. 02
22
HY5DU283222F
DC CHARACTERISTICS II
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. I
DD1, IDD4
and I
DD5
depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open.
2. Min. of t
RFC
(Auto Refresh Row Cycle Time) is shown at AC CHARACTERISTICS.
Parameter
Sym
bol
Test Condition
Speed
Unit
Note
26
28
33
36
4
5
Operating Current
I
DD1
Burst length=4, One bank active
t
RC
≥
t
RC
(min), I
OL
=0mA
300
300
280
280
280
260
mA
1
Precharge Standby
Current in Power Down
Mode
I
DD2P
CKE
≤
V
IL
(max), t
CK
=min
30
30
30
30
30
20
mA
Precharge Standby
Current in Non Power
Down Mode
I
DD2N
CKE
≥
V
IH
(min), /CS
≥
V
IH
(min),
t
CK
= min, Input signals are
changed one time during 2clks
100
100
90
90
90
80
mA
Active Standby Cur-
rent in Power Down
Mode
I
DD3P
CKE
≤
V
IL
(max), t
CK
=min
35
35
35
35
35
25
mA
Active Standby Cur-
rent in Non Power
Down Mode
I
DD3N
CKE
≥
V
IH
(min), /CS
≥
V
IH
(min),
t
CK
=min, Input signals are
changed one time during 2clks
160
160
130
130
130
100
mA
Burst Mode Operating
Current
I
DD4
t
CK
≥
t
CK
(min),
OL
=0mA
All banks active
CL=4
630
600
470
450
450
370
mA
1
CL=3
630
600
470
450
450
370
mA
1
Auto Refresh Current
I
DD5
t
RC
≥
t
RFC
(min),
All banks active
300
300
270
270
270
mA
1,2
Self Refresh Current
I
DD6
CKE
≤
0.2V
3
3
3
3
3
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU283222F-5 | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DU28422BLT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28422BT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28822BLT-X | 128M-S DDR SDRAM |
| HY5DU28822BT-X | 128M-S DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU283222F-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DU283222Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4Mx32|2.5V|4K|4/45/5|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU283222Q-4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X1MX32|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC |
| HY5DU283222Q-45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DU283222Q-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|DDR|4X1MX32|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC |
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