參數(shù)資料
型號： HY5DU283222AF-36
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-144
文件頁數(shù)： 2/32頁
文件大?。?/td> 355K
代理商： HY5DU283222AF-36
Rev. 0.7 / Jun. 2004
2
HY5DU283222AF
Revision History
Revision
No.
History
Draft Date
Remark
0.1
Defined target spec.
Nov. 2002
0.11
500MHz speed bin added
Dec. 2002
0.2
Defined IDD specification
Feb. 2003
0.3
1) Added 222MHz with CL3 and tCK_max=10ns at HY5DU283222AF-36
2) Changed VDD_min value of HY5DU283222AF-36 from 2.375V to 2.2V
3) Changed AC parameters value of HY5DU283222AF-28/33
- tRCDRD/tRP : from 6 tCK to 5 tCK
- tDAL : from 9 tCK to 8 tCK
- tRFC : from 19 tCK to 17 tCK
4) Changed IDD2N target specification
5) Changed tCK_max value of HY5DU283222AF-33/36 from 6ns to 10ns
Mar. 2003
0.4
Changed CAS Latency of HY5DU283222AF-28 from CL5 to CL4
June 2003
0.5
Changed tRAS_max Value from 120K to 100K in All Frequency
Aug. 2003
0.6
Insert Overshoot/ Under Specification
Insert tDSS/ tDSH parameter
Sep. 2003
0.7
Added 250MHz/ 200MHz speed bin
Jun. 2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU283222AF-4 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222AF-5 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222F-26 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222F-28 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222F-33 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DU283222AF-4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222AF-5 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222AQ 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222AQ-33 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222AQ-36 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM
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