參數(shù)資料
型號： HY57V641620HGT-S
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 12/12頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： HY57V641620HGT-S
HY57V641620HG
Rev. 1.0/Jan. 02
12
PACKAGE INFORMATION
400mil 54pin Thin Small Outline Package
11.938(0.4700)
11.735(0.4620)
10.262(0.4040)
10.058(0.3960)
22.327(0.8790)
22.149(0.8720)
5deg
0deg
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0047)
1.194(0.0470)
0.991(0.0390)
0.80(0.0315)BSC
0.400(0.016)
0.300(0.012)
UNIT : mm(inch)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V641620HGT-SI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLT-HI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLT-KI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLT-PI Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:10000pF; Capacitance Tolerance:+/- 10 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:MLCC; Dielectric Material:Ceramic; Leaded Process Compatible:Yes
HY57V641620HGLT-SI CAP 0.01UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN
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參數(shù)描述
HY57V641620HGT-SI 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620TC-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V641620TC-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V641620TC-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V641621TC-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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