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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V641620HG |
| 廠(chǎng)商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行× 1米× 16位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | HY57V641620HG |
HY57V641620HG
Rev. 1.0/Jan. 02
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -40 to 85
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V
Note3
)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2
4
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
2
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V641620HGT-5 | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-55 | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-55I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-5I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-6 | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V641620HG-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGLT-5 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V641620HGLT-55 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V641620HGLT-55I | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V641620HGLT-5I | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
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