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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V56820B |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行× 8米× 8位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | HY57V56820B |
HY57V56820B(L)T
Rev. 1.4/Mar. 02
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
-6/K/H
-8/P/S
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A12, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V56820BL | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGLT-8I | CAP SMD 0805 .01UF 50V 5% |
| HY57V641620HGLT-P | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HG-I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGLT-5I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V56820BL | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820BLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx8|3.3V|8K|K|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V56820BLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820BLT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820BLT-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
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