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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620T-S |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | HY57V561620T-S |
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HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ Minimum V
V
DD
(V)
I(mA)
0.0
0.0
0.2
0.0
0.4
0.0
0.6
0.0
0.7
0.0
0.8
0.0
0.9
0.0
1.0
0.23
1.2
1.34
1.4
3.02
1.6
5.06
1.8
7.35
2.0
9.83
2.2
12.48
2.4
15.30
2.6
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
I (mA)
-2.6
-57.23
-2.4
-45.77
-2.2
-38.26
-2.0
-31.22
-1.8
-24.58
-1.6
-18.37
-1.4
-12.56
-1.2
-7.57
-1.0
-3.37
-0.9
-1.75
-0.8
-0.58
-0.7
-0.05
-0.6
0.0
-0.4
0.0
-0.2
0.0
0.0
0.0
0
5
10
15
20
0
1
2
3
Voltage
m
I (mA)
DD
clamp current
(Referenced to V
DD
)
- 60
- 50
- 40
- 30
- 20
- 10
0
- 3
- 2.5
- 2
- 1.5
- 1
- 0.5
0
Voltage
m
I (mA)
Minimum V
SS
clamp current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V56820B | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820BL | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGLT-8I | CAP SMD 0805 .01UF 50V 5% |
| HY57V641620HGLT-P | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HG-I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620T-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V56420ALT-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
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