參數(shù)資料
型號: HY57V561620T-HP
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大?。?/td> 151K
代理商: HY57V561620T-HP
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
IBIS SPECIFICATION
** IBIS spec. is also applied to 133MHz device.
I
OH
Characteristics (Pull-up) 66MHz and 100MHz Pull-up
Voltage
100MHz
Min
100MHz
Max
66MHz
Min
(V)
I (mA)
I (mA)
I (mA)
3.45
-2.4
3.3
-27.3
3.0
0.0
-74.1
-0.7
2.6
-21.1
-129.2
-7.5
2.4
-34.1
-153.3
-13.3
2.0
-58.7
-197.0
-27.5
1.8
-67.3
-226.2
-35.5
1.65
-73.0
-248.0
-41.1
1.5
-77.9
-269.7
-47.9
1.4
-80.8
-284.3
-52.4
1.0
-88.6
-344.5
-72.5
0.0
-93.0
-502.4
-93.0
I
OL
Characteristics (Pull-down)
66MHz and 100MHz Pull-down
Voltage
100MHz
Min
100MHz
Max
66MHz
Min
(V)
I (mA)
I (mA)
I (mA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.4
27.5
70.2
17.7
0.65
41.8
107.5
26.9
0.85
51.6
133.8
33.3
1.0
58.0
151.2
37.6
1.4
70.7
187.7
46.6
1.5
72.9
194.4
48.0
1.65
75.4
202.5
49.5
1.8
77.0
208.6
50.7
1.95
77.6
212.0
51.5
3.0
80.3
219.6
54.2
3.45
81.4
222.6
54.9
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
Ioh Min (100MHz)
Ioh Min (66MHz)
Ioh Min (66 and 100MHz)
0
50
100
150
200
250
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
I (mA) 100 min
I (mA) 66 min
I (mA) 100 max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V561620 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620LT-8 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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HY57V561620T-S 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
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HY57V56420ALT-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM