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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620CTP-K |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HY57V561620CTP-K |
HY57V561620C(L)T(P)
Rev. 0.5 / June 2004 10
DEVICE OPERATING OPTION TABLE
HY57V561620C(L)T(P)-6
HY57V561620C(L)T(P)-7
HY57V561620C(L)T(P)-K
HY57V561620C(L)T(P)-H
HY57V561620C(L)T-8
HY57V561620C(L)T(P)-P
HY57V561620C(L)T(P)-S
CAS Latency
3CLKs
3CLKs
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3CLKs
3CLKs
3CLKs
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6CLKs
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3CLKs
3CLKs
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5.4ns
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2.7ns
2.7ns
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9CLKs
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9CLKs
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5.4ns
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2.7ns
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3ns
3ns
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V561620CTP-P | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CTP-S | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CT-S | 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620T-HP | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620CTP-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CTP-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620CT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V561620FTP-6IDR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V561620FTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:Synchronous DRAM Memory 256Mbit |
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