參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V28820HCT-PI
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM
中文描述： 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： HY57V28820HCT-PI
HY57V28820HC(L)T-I
Rev. 0.1/Jan. 01
5
CAPACITANCE
(T
A
=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -40 to 85
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
-6I/KI/HI
-8I/PI/SI
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE,
CS, RAS, CAS, WE, DQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5
pF
Data Input / Output Capacitance
DQ0 ~ DQ7
C
I/O
4
6.5
4
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
=+2mA
Output
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V28820HCT-SI 4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM
HY57V561620B 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620BLT-6I 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620BLT-8I 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620BLT-HI 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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HY57V561620ALT-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V561620ALT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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